本报讯 （记者 成波） 近日，浙江省经信厅公布2025年先进技术创新成果名单评审结果，浙江晶瑞电子材料有限公司（以下简称“浙江晶瑞SuperSiC”）的8英寸高品质导电型碳化硅衬底成功入选。而在该公司的洁净车间里，国内首条12英寸碳化硅衬底加工中试线已经顺利“跑”了起来。

　　据介绍，浙江晶瑞SuperSiC成立于2014年，是晶盛机电旗下一家专注于碳化硅、蓝宝石等化合物半导体材料的研发生产与销售的子公司，目前已成长为全球知名的化合物半导体材料供应商。

　　“从6英寸的苦苦追赶，到8英寸的并肩同行，再到12英寸的全面领先，我们仅仅用了3年。”浙江晶瑞SuperSiC制造副总经理杨水淼向记者介绍展柜里6—12英寸规格不一，看起来像玻璃的晶圆片。这些看似不起眼的材料，正是当今全球半导体产业竞相角逐的战略核心和浙江晶瑞SuperSiC的拳头产品——碳化硅衬底。

　　10多年前，这种材料被国外技术垄断和封锁，中国市场“一片难求，价格奇高”。为打破这一局面，浙江晶瑞SuperSiC依托母公司晶盛机电的“装备+材料”协同创新模式，自2017年开始专注于碳化硅晶体生长设备和工艺研发。2018年，研发出首台碳化硅单晶炉，并迅速进入材料的研发和生产阶段。2022年8月，经过技术攻关，第一颗8英寸N型碳化硅晶体出炉，企业第三代半导体材料碳化硅研发自此迈入8英寸时代。目前，8英寸导电型碳化硅衬底已实现批量生产，2025年出货量居国内前二。

　　“我们一直靠技术创新和吃透客户需求搞研发，新材料这块更是重点投入方向。”杨水淼介绍，今年9月底，首条12英寸碳化硅衬底加工中试线正式通线，为全球新能源汽车、CoWoS等先进封装、AR/VR光学与显示、Mini/MicroLED显示等领域提供高性能、高可靠性的核心材料支撑。

　　12英寸碳化硅衬底究竟有何魔力？答案在于降本。大尺寸化是降本的关键路径。相较于目前主流的8英寸产品，12英寸碳化硅衬底单片晶圆芯片产出量可增加约2.5倍，能够在大规模生产中显著降低长晶、加工、抛光等环节的单位成本。12英寸碳化硅衬底量产后，单片成本可降低40%，这将为AR眼镜晶片以及尖端芯片封装应用的成本优化提供关键支撑。

　　“目前我们的12英寸碳化硅衬底加工中试线核心突破在于全链条的自主可控。”杨水淼告诉记者，该条中试线覆盖晶体加工、切割、减薄等全流程工艺，所有环节均采用国产设备与自主技术，性能指标达到行业领先水平。

　　从装备到材料的完整闭环，浙江晶瑞SuperSiC彻底解决了12英寸SiC衬底关键装备“卡脖子”风险，为下游产业提供了成本与效率的新基准，这也标志着该公司在全球SiC衬底技术方面，从并跑向领跑迈进，开启了高效智造新阶段。

　　与此同时，浙江晶瑞SuperSiC的产业布局正加速拓展：今年6月，总投资15.11亿元的年产60万片8英寸碳化硅衬底片切磨抛产线项目在杭州湾上虞经开区开工建设。相隔不到1个月，浙江晶瑞SuperSiC在马来西亚槟城州举行8英寸SiC衬底制造工厂奠基仪式，一期建成后将实现24万片/年的8英寸SiC衬底产能，不仅填补了当地第三代半导体核心材料制造的空白，还能依托槟城已有的半导体企业集群，快速接入全球供应链。